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崗位職責(zé)： A. 測(cè)試能力與測(cè)試課建設(shè)： 測(cè)試平臺(tái)規(guī)劃：? 規(guī)劃并建立覆蓋靜態(tài)參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)、短路特性、熱特性等測(cè)試能力。 標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范制定：? 建立和完善功率器件測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)操作程序、數(shù)據(jù)規(guī)范、報(bào)告模板，確保與AEC-Q101、JEDEC等國(guó)際/行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或客戶特定要求接軌。 設(shè)備與系統(tǒng)管理：? 負(fù)責(zé)關(guān)鍵測(cè)試設(shè)備（如：動(dòng)態(tài)/靜態(tài)測(cè)試儀、雙脈沖測(cè)試臺(tái)、熱阻測(cè)試儀、雪崩測(cè)試儀、曲線追蹤測(cè)試儀）的校準(zhǔn)、維護(hù)和有效性驗(yàn)證。 前沿方法研究：? 跟蹤研究新型器件（如寬禁帶半導(dǎo)體）的測(cè)試挑戰(zhàn)與新標(biāo)準(zhǔn)，引入先進(jìn)的測(cè)試方法。 B. 測(cè)試執(zhí)行與項(xiàng)目支持： 測(cè)試方案制定：? 針對(duì)新產(chǎn)品開發(fā)、競(jìng)品分析、應(yīng)用驗(yàn)證等不同需求，制定深度與廣度適宜的測(cè)試方案。 關(guān)鍵測(cè)試主導(dǎo)：? 主導(dǎo)或深度參與器件特性表征（如輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、電容特性、開關(guān)損耗、反向恢復(fù)）、極限參數(shù)驗(yàn)證（如SOA安全工作區(qū)、短路）及全溫度范圍測(cè)試。 數(shù)據(jù)審核與解讀：? 對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行最終技術(shù)審核，確保準(zhǔn)確性；能從數(shù)據(jù)中解讀出器件性能并形成專業(yè)報(bào)告。 C. 團(tuán)隊(duì)與流程管理： 團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)：? 負(fù)責(zé)測(cè)試團(tuán)隊(duì)的組建、日常管理、任務(wù)分派、技能培訓(xùn)和績(jī)效評(píng)估。 流程優(yōu)化：? 優(yōu)化測(cè)試流程，提升測(cè)試效率與設(shè)備利用率，推動(dòng)測(cè)試自動(dòng)化與數(shù)據(jù)管理數(shù)字化。 跨部門協(xié)同：? 作為測(cè)試技術(shù)接口，與芯片設(shè)計(jì)、封裝研發(fā)、產(chǎn)品研發(fā)等部門緊密協(xié)作，形成高效閉環(huán)。 任職資格： A. 教育背景與經(jīng)驗(yàn)： 1、本科及以上學(xué)歷，微電子、電力電子、半導(dǎo)體物理等相關(guān)專業(yè)； 2、有5年以上功率半導(dǎo)體器件測(cè)試工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先考慮； 3、有在功率半導(dǎo)體IDM、Fab廠、設(shè)計(jì)公司或測(cè)試實(shí)驗(yàn)室工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先； B. 核心技術(shù)能力： 深厚的器件知識(shí)：? 深刻理解功率半導(dǎo)體器件（特別是MOSFET、IGBT、寬禁帶器件）的物理原理、特性曲線、關(guān)鍵參數(shù)意義。 精通專業(yè)測(cè)試：精通雙脈沖測(cè)試、熱阻測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、特性曲線、雪崩測(cè)試、SOA等極限參數(shù)測(cè)試原理；