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崗位職責： 1、新產(chǎn)品導入（NPI）與轉(zhuǎn)移：** 主導或深度參與GaN/SiC MOSFET新產(chǎn)品的導入和從研發(fā)到量產(chǎn)線的轉(zhuǎn)移，確保設計意圖在制造過程中得到實現(xiàn)。 2、良率管理與提升：** 監(jiān)控并分析晶圓和成品電性參數(shù)、CP/FT測試數(shù)據(jù)，識別良率損失的關鍵因素，與工藝、集成和測試工程師合作，制定并執(zhí)行良率提升計劃。 3、數(shù)據(jù)分析與問題解決：** 運用統(tǒng)計學工具（JMP， Python等）對大量測試和可靠性數(shù)據(jù)進行深度挖掘，定位產(chǎn)品異常和失效的根本原因（Root Cause），并推動問題的有效解決。 4、產(chǎn)品特性化與表征：** 主導產(chǎn)品的全面特性化工作，包括靜態(tài)參數(shù)（BVDSS， Rds(on)， Vth等）、動態(tài)參數(shù)（Switching Loss， Qg， Qrr等）以及可靠性測試（HTGB， HTRB， H3TRB， TSD等），并生成詳細的產(chǎn)品評估報告。 5、客戶技術支持：** 為銷售和FAE團隊提供高級別的技術支持，協(xié)助解決客戶應用中的技術問題，收集并反饋客戶需求至研發(fā)部門，驅(qū)動下一代產(chǎn)品的定義與改進。 任職要求： 1、本科及以上學歷，微電子、電子工程、材料科學、物理學等相關專業(yè)。 2、 3年以上半導體產(chǎn)品工程、測試工程或器件工程經(jīng)驗。**有GaN或SiC功率器件直接相關經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。** 3、深刻理解MOSFET器件物理，特別是寬禁帶半導體材料的特性（如GaN的二維電子氣， SiC的MOS界面問題等）、工作原理、制造工藝和失效機理。 4、熟悉半導體測試流程，具備晶圓探針測試（CP）、最終測試（FT）、系統(tǒng)級測試（SLT）的相關知識。有實驗室測試設備（示波器、半導體參數(shù)分析儀、動態(tài)參數(shù)測試儀等）操作經(jīng)驗者優(yōu)先。