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1. 負(fù)責(zé)VR LTPO新技術(shù)項目開發(fā)，完成技術(shù)可行性評估、工藝路線制定及產(chǎn)品不良改善等；
2. 負(fù)責(zé)TFT相關(guān)疑難及突發(fā)異常攻克、穩(wěn)定性提升、特性優(yōu)化及評價系統(tǒng)的建立；
3. 負(fù)責(zé)LTPS/Oxide小尺寸or窄溝道器件的工藝開發(fā)及理論研究工作；
4. 對團(tuán)隊成員相關(guān)TFT器件方向?qū)I(yè)問題進(jìn)行澄清并提供改善方向，加強團(tuán)隊共同認(rèn)知；
5. TFT器件專業(yè)人才培養(yǎng)及指導(dǎo)；
教育程度:碩士
工作經(jīng)歷:
8年以上
a）具備LTPO器件開發(fā)經(jīng)驗，包括但不限于Oxide小尺寸or窄溝道器件開發(fā)，DIBL效應(yīng)和SCE效應(yīng)研究，高遷氧化物及光穩(wěn)材料開發(fā)等；
b）具備LTPO器件特性改善經(jīng)驗，包括但不限于Vth均一性，Mobility及Ion提升，△L改善等；
c）掌握LTPO器件穩(wěn)定性改善方法，具備TFT 器件擊穿能力（High Voltage Breakdown Characteristic），偏壓穩(wěn)定性（VoltageStress stability: PBTS/NBTS/HJS/HDCS），光照穩(wěn)定性（Lightstability: NBTIS/PBTIS），溫度穩(wěn)定性（Temperature sensitivity）等相關(guān)改善經(jīng)驗；
d）能夠搭建TFT特性優(yōu)化及評價系統(tǒng)。理解LTPO器件結(jié)構(gòu)及工藝需求，熟悉薄膜評價手段及方法，掌握膜層缺陷改善及界面改善方法；熟悉Etch工藝，掌握Etch Profile or Taper及Bias改善方法；掌握離子注入以及退火等相關(guān)工藝極其對特性的影響，并能夠整合以上工藝進(jìn)行器件特性改善。
e）掌握TCAD 軟件，能夠通過TCAD 建模來進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)工藝下材料水平的器件結(jié)構(gòu)，輔助進(jìn)行工藝調(diào)試優(yōu)化；